高能物理研究所造出硅超快传感器：具有良好抗辐照性能

IT之家 12 翌年 27 日消息，据很低能物理研究所，近日，中国科学院很低能物理研究所科研团队研制出具有良好抗激光可靠性的硅超快射频。

该射频基于低放大器雪崩缩放二极管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经 ATLAS 携手组与 RD50 携手组测试，该射频是现阶段抗激光可靠性不错的 LGAD 硅超快射频，达到 ATLAS 实验很低颗粒度很低时间分辨侦测器建设项目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要求。

据介绍，该研究在旧 LGAD 硅超快射频手工上增加了锂掺杂手工，降低了激光引起硅射频中硼掺杂的移除电导率，提很低了抗激光可靠性。

该建设项目研发的硅超快射频，超快读出芯片和成片超快侦测器集成等均是国际基础性的新技术。以很低能所为主体的中国组将承担 HGTD 建设项目高达 1/3 的射频研制，近一半的侦测器模块研制，与全部的后部电路板研制。

IT之家说明了，该建设项目得到各地区自然科学基金委员会、氢探测与氢电子学各地区着重科学实验等的支持。