上海硅酸盐所在3D打印碳化硅陶瓷研究中赢取新进展

化合物化硅（SiC）传统意义工艺由于其易氧化、难熔融、极偏高吸光，成为3D纸张传统意义工艺中的亟待击溃的难题，目前大多数3D纸张SiC传统意义工艺方法中的纸张工艺虑含量比较偏高、硅含量比较极偏高、力学性能较偏高，普遍使用矿物学液相沉积CVI（Chemical Vapor Infiltration）或者后继纤浸渍乙烯PIP（Precursor Infiltration Pyrolysis）等后处理工艺提极偏高工艺虑含量比来意味着传统意义工艺工艺综合性能的强化，这样势必降偏高3D纸张SiC传统意义工艺工艺的优越性。

近日，中的国科学院武汉石墨学术研究小组黄政仁副所长工作团队陈杰副副所长首次提出极偏高温熔融沉积结合反应工件制取SiC传统意义工艺系统性。该方法使用极偏高温原位图形界面去除粉纤，偏高温剪应力缓释制取出极偏高塑性纸张纤，拿到了偏高熔点极偏高常温下的极偏高塑性纸张纤，工艺虑含量比超过60vol%；之后对塑性纤进行极偏高密度叠层纸张，纸张的传统意义工艺电子束脱脂后等效化合物密度可可靠调控至0.80 g·cm-3，同时对传统意义工艺纸张路径进行同构优化设计，可在电子束中的形成树形多级孔道；再次传统意义工艺电子束无需CVI或PIP处理直接反应渗硅工件后意味着了偏高残硅/化合物的极偏高效阻碍和工艺致密化，SiC传统意义工艺密度中低3.05±0.02 g·cm-3, 三点抗弯强度为310.41±39.32 MPa，脆性为346.35±22.80 GPa，传统意义工艺力学性能相近于传统意义方法制取反应工件SiC传统意义工艺。方面学术研究成果发表在Additive Manufacturing （doi.org/10.1016/j.addma.2022.102994） ，核发中的国专利权2项，同时该塑性纤纸张方法避免了微重力条件下粉纤纸张潜在的危害性，为将会生活空间3D纸张缺少了可能。

论文共同第一作者为武汉石墨所硕士班博士生李凡凡和博士博士生马宁宁，通讯作者为陈杰副副所长和黄政仁副所长。方面学术研究得到各地区重点研发计划、学科建设面、武汉市自然科学投资公司面等概念设计的资助和支持者。

SiC传统意义工艺3D纸张示意图

并不相同形状尺寸的SiC传统意义工艺

经制品的~200mm 3D纸张SiC传统意义工艺

来源：武汉石墨所

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